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IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 12.5A
I G = 10mA
100
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
1ms
5
4
10ms
3
2
1
0
1
0.1
100ms
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
10
100
500
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4500
4000
3500
3000
2500
f = 1 Mhz
V DS = 25V
C iss
50
45
40
35
30
25
2000
1500
1000
500
C oss
C rss
20
15
10
5
T J = 125°C
T J = 25°C
0
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volt
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
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